三星宣布打造最高可對應(yīng)256GBps傳輸速度表現(xiàn)的4GB容量HBM2記憶體模組，預(yù)期將可應(yīng)用在Nvidia、AMD接下來準(zhǔn)備推出應(yīng)用HBM2記憶體技術(shù)的全新顯示卡產(chǎn)品，另外也計(jì)畫在今年年底推出8GB容量規(guī)格。

根據(jù)三星表示，去年宣布推出128GB 3D TSV DDR4記憶體模組之后，目前也成功推出最高可對應(yīng)256GBps傳輸速度表現(xiàn)的4GB容量HBM2記憶體模組，相比現(xiàn)有GDDR 5記憶體模組能以更小體積封裝，讓裝置可同時安裝更多記憶體模組運(yùn)作。

以目前已經(jīng)可量產(chǎn)4層8gb核心的4GB模組情況來看，三星預(yù)計(jì)最快將可在今年年底推出8層8gb的8GB模組，藉此讓顯示卡能有更充裕的顯示記憶體容量可用于顯示資料緩沖等用途，除可應(yīng)用在即將更新的顯示卡產(chǎn)品，此類記憶體模組亦可用于鎖定專業(yè)繪圖使用的繪圖卡產(chǎn)品。